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    當前位置:首頁產品中心鈣鈦礦磁控濺射儀MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀

    MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀
    產品簡介:

    應用范圍:MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜,原理是由惰性工藝氣體產生輝光放電現象生成帶電離子,帶電離子經過電場加速后轟擊固體靶材表面,使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來,同時產生二次電子,再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子,從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運動,碰撞到襯底基片上并被基片吸附,最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

    產品型號:

    更新時間:2025-02-18

    廠商性質:生產廠家

    訪問量:585

    服務熱線

    0755-26959531

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    產品介紹

    MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀

    MSK-PSS-MC1010磁控濺射儀可在襯底基片上濺射一層薄膜,原理是由惰性工藝氣體產生輝光放電現象生成帶電離子,帶電離子經過電場加速后轟擊固體靶材表面,使靶材表面原子和分子被轟擊飛濺出來,同時產生二次電子,再次撞擊氣體原子而形成更多的帶電離子,從靶材濺射出來的粒子在低壓氣氛中向硅片作渡越運動,碰撞到襯底基片上并被基片吸附,最終凝聚在襯底形成需要的薄膜。

      功能特點
    • 設備設計緊湊,可與手套箱對接;

    • 極限真空度優于5E-5Pa(干燥環境),濺射尺寸兼容多種規格,最大為100*100mm,并支持基片旋轉速度0~30rpm連續可調;

    • 采用不銹鋼真空室,內部電拋光處理,配備觀察窗、靶槍及擋板轉軸等;

    • 真空系統采用“分子泵+機械泵"組合,具有高效的抽速和完善的真空測量系統;

    • 氣體控制方面,具備3路進氣并可通過流量計精確控制;

    • 配有3個共焦向上濺射的圓形靶槍, 可以支持低氣壓濺射以減小二次電子損傷;

    • 設備提供旋轉加熱工件臺,可調節轉速、加熱溫度以及與靶之間的距離

      技術參數
    電源三相五線制AC380V±10%,頻率:50Hz,總功率約6KW
    氣源壓縮空氣:干燥、干凈、無水、無油的壓縮空氣,8mm塑料氣管,壓力5.5~6公斤(0.55-0.6Mpa)
    普通氮氣:干燥氮氣,用于設備腔室破真空,8mm塑料氣管,壓力1-2公斤(0.1-0.2Mpa)
    工藝氣體:高純,99.999%,共兩路工藝氣體,6mm不銹鋼管,其中一路為高純氬氣,壓力1~2公斤(0.1-0.2Mpa),另外兩路工藝氣體按工藝需求準備
    水源流量15-20升/分鐘水溫15~25℃,
    進水和出水壓差1~2公斤,進水壓力2~3公斤,
    設備的進水和出水口外徑12mm
    (建議在設備的進水口前安裝一個球閥,方便調節水壓和水流量)
    真空室304不銹鋼真空室,內部電拋光
    前后開門,門上有1個80mm觀察窗,帶擋板,防輻射
    底部安裝3個靶槍及擋板轉軸
    側壁及底部有備用法蘭接口以備將來使用
    可拆卸不銹鋼內襯,手擰拆卸方便清理
    真空系統組成分子泵+機械泵組合式真空系統,氣動閥門
    分子泵:中科科儀分子泵FF200/1300,抽速:1300L/s
    機械泵:鮑斯BSV-30機械泵,抽速:9L/s
    真空閥門:型號:DN40mm 擋板閥2套;主閥DN200 1套,可調限流閥1套,進口薄膜真空計1套,量程0.0001torr-0.1torr,自動調壓
    真空密封:可拆靜密封采用氟橡膠圈密封,不常拆靜密封采用無氧銅密封
    真空極限真空極限優于5×10-5Pa(干燥環境)
    抽速抽氣時間:大氣壓~工作真空(5*10-4Pa),約20min(對接手套箱氮氣環境)
    真空計1個兩低一高2個真空計,測量范圍:大氣到1E-5Pa
    氣體控制3路進氣,采用Horiba Metron(中日合資)流量計控制進氣,流量計最大流量分別為200/100/50sccm,兩路氣體經過流量計后混合,混合后導入真空室靶面
    濺射靶槍3個2英寸圓形靶槍,共焦向上濺射
    靶槍和工件距離80-120mm,可調節
    每個靶槍帶一個獨立的電控氣動擋板
    可實現低氣壓濺射,減小二次電子損傷樣品基底
    濺射電源1臺G-POWER功率500W自動匹配射頻電源:
    最大輸出功率500W,頻率13.56MHz,輸出采用功率控制模式,自動匹配,匹配時間短,反射功率小于3W;
    1臺北京持動力直流濺射電源:
    最大輸出功率500W,輸出可切換采用功率控制模式,恒流模式,恒壓模式,電源帶完善的異常打火,短路等保護功能耐用易用
    旋轉加熱工件臺最大可放置襯底基片樣品尺寸:100mm*100mm,兼容3英寸、2英寸、φ45mm、φ30mm,以及小尺寸方形片(對角線長度小于45mm)
    基片轉速0-30rpm連續可調,旋轉軸水冷保護
    轉軸磁流體密封
    樣品臺加熱溫度:最高溫度500℃,控溫誤差±1℃
    樣品臺和靶之間距離采用焊接波紋管密封電動可調,帶刻度顯示
    成膜質量:樣品范圍內均勻性優于±5%
    控制系統西門子PLC+西門子觸摸屏手自動控制系統
    控制內容:機械泵,分子泵,氣動、電磁閥門、流量計等等;自動抽真空,自動排氣等
    完整的互鎖保護(硬件、軟件互鎖)
    真空室尺寸約W400*D400*H450mm
    外形尺寸約W780*D930*H1820mm


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